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美國加州聖荷西 ─ 2008 年 1 月 7 日訊─KLA-Tencor 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）今天推出WaferSight 2，是半導體產業中第一個可讓晶圓供應商和晶片製造商以 45 奈米以下尺寸所需的高精度和工具匹配度，在單一系統中測量裸晶圓平坦度、形狀、捲邊及奈米形貌的測量系統。憑藉著領先業界的平坦度和奈米形貌測量精度，加上改良的工具間匹配度，WaferSight 2 讓晶圓供應商能夠率先生產次世代晶圓，並讓 IC 製造商對其運用的晶圓品質控管更具信心。 根據光蝕系統的領導供應商研究顯示，在 45 奈米製程中，晶圓平坦度的細微差異可消耗高達 50% 的關鍵光蝕聚焦深度預算。以 KLA-Tencor 公司佔有市場領導地位的 WaferSight 1 系統為基礎，WaferSight 2 系統能實現更嚴格的裸晶圓平坦度規格，並協助 IC 製造商戰勝聚焦深度挑戰，其快速精確的 45 奈米世代平坦度測量功能將使晶圓製造商和 IC 廠商雙雙獲益。 KLA-Tencor 成長與新興市場副總裁 Jeff Donnelly 表示：「在 45 奈米以下的製程上，晶圓平坦度、形狀及表面形貌的差異對製程區段、光蝕良率及其他生產製程的影響更大。與先前的 ADE WaferSight 1 相較下，新的 WaferSight 2 系統具備更佳的光學與測量隔離，可實現更高的解析度、匹配率和精度，這不僅能協助晶圓製造商大幅提升其製造規格，以滿足 45 奈米製程的要求，還能讓晶片製造商測量即將運用的晶圓，以確保生產的製程品質。同時，這套系統的產能可降低營運成本，並提升效率。」 奈米形貌控制已成為 45 奈米節點的關鍵，因為它是化學機械研磨 (CMP) 中縮小製程極限的問題所在，且會引起光蝕中的線寬微距 (CD) 變異。新的 WaferSight 2 具備領先業界的奈米形貌測量效能和更高精度，並且是第一個以單一非破壞性測量方式進行前後兩面奈米形貌測量的系統。
WaferSight 2 將平坦度及奈米形貌測量合併在一個系統上，與多工具解決方案相比，此舉可縮短週期時間，減少在製品 (WIP) 流程中的佇列與移動時間，縮小所佔空間，並提升設施的使用效率。WaferSight 2 還可與 KLA-Tencor 的晶圓廠資料管理系統 FabVision® 無縫隙地結合，形成一個可離線分析存檔資料或現有度量資料的完整解決方案，且可完全客製化圖表和報告。 WaferSight 2 測試合作夥伴 Soitec 的 SOI 產品平台副總裁 Christophe Maleville 表示：「我們評估過 WaferSight 2 系統後認為，這套工具的所有測量模式均擁有領先效能，具備卓越的長期重複能力與測量穩定性。WaferSight 2 系統的先進效能使其適用於 45 奈米世代的生產，且在評估測試階段和實際生產中均表現出極佳的穩定性。WaferSight 2 已被接受用於矽和 SOI 生產，且 Soitec 將使WaferSight2 成為日後晶圓幾何度量向上提升的關鍵系統。」 WaferSight 2 技術摘要 IC 製程中的平坦度、捲邊和奈米形貌測量的重要性
平坦度
在 45 奈米節點，先進的光蝕光學技術可將聚焦深度縮小到 100~150 奈米。更小的聚焦深度對晶圓上平坦度變化的容差要求更為嚴格，因此，對於每個更小的技術節點，必須更嚴格地控制晶圓平坦度與形狀參數。WaferSight 2 可以勝任 45 奈米生產，因為它具備次奈米級平坦度測量精度，且其工具間匹配度比 WaferSight 1 提升了 200%。如此領先業界的效能可協助晶圓製造商提升良率，並協助晶片製造商降低對所使用晶圓的不確定性與風險。 捲邊
晶圓鄰近邊緣區域（其定義為從邊緣開始 1mm 至 5mm 的範圍內）的幾何一致性是製造程序中的一個新挑戰。因為，與晶圓中心相比，鄰近邊緣區域存在各種加工差異。由此產生的形狀或厚度差異稱為捲邊 (ERO)。捲邊可大幅影響最外層區域的光蝕焦點控制，以及該區域的化學機械研磨 (CMP) 一致性。 WaferSight 2 的 ERO 測量提供的準確資料，可幫助控制晶圓邊緣區域的捲邊效應，並提升晶粒良率。使用 WaferSight 2 可對角度 ERO 差異進行定量分析，在晶圓供應商間、晶圓與晶圓間、和晶圓內部的差異在 ERO 資料中皆可一目了然。這種 ERO 差異會影響 CMP 中邊緣覆膜厚度的一致性，因此，控制晶圓 ERO 成為實現CMP預期效能的關鍵。 奈米形貌
奈米形貌是晶圓上的奈米級高度差異，由透過測量大約 2mm 至 10mm 的區域得出。國際半導體技術藍圖 (ITRS) 指出，從峰頂到谷底的奈米形貌可能僅有幾奈米差距，因此奈米形貌的精度會受到測量系統上卡盤效應 （chuck effect）的影響。WaferSight 2 使用全邊緣卡夾的晶圓操作系統，在測量平坦度和捲邊資料的掃描中，也會擷取來自晶圓前後兩面的無贗像奈米形貌資料，並藉此消除卡盤效應。 #### 關於 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是為半導體製造及相關產業提供產能管理和製程控制解決方案的全球領先企業。該公司總部設在美國加州的聖荷西市，銷售及服務網遍佈全球。KLA-Tencor 躋身於標準普爾 500 強公司之一，並在納斯達克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關該公司的更多資訊，請參觀網站 http://www.kla-tencor.com。
- 新聞稿有效日期，至2008/02/15為止
聯絡人 ：徐元貞
聯絡電話：27225779-637
電子郵件：jenhsu@webershandwick.com
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