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行业动态 WDC全新3D NAND iNAND嵌入式快闪内存产品系列
Apex 本新闻稿发布于2017/12/05,由发布之企业承担内容之立场与责任,与本站无关

台北,2017年12月5日-WDC今日推出全新iNAND®嵌入式快闪内存产品系列,让智能手机用户能够尽情地享受现今由数据驱动的各种应用与体验。新推出的iNAND® 8521和iNAND® 7550嵌入式快闪内存,采用Western Digital 64层3D NAND技术以及先进的UFS与e.MMC介面技术,提供出色的数据效能与庞大的储存容量。

 
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台北,2017年12月5日-Western Digital公司今日推出全新iNAND®嵌入式快闪内存 (EFD) 产品系列,让智能手机用户能够尽情地享受现今由数据驱动的各种应用与体验。新推出的iNAND® 8521和iNAND® 7550嵌入式快闪内存,采用Western Digital 64层3D NAND技术以及先进的UFS与e.MMC介面技术,提供出色的数据效能与庞大的储存容量。用于智能手机与轻薄运算装置时,这两款产品能加速实现以数据为中心的各式应用需求,包括扩增实境 (AR)、高解析视频的撷取、丰富的社区媒体体验,以及近期崛起的人工智能 (artificial intelligence, AI) 与物联网 (IoT) 「边际」(edge) 体验。

数据的数量、速度丶种类与价值,持续在大数据 (Big Data)、快数据 (Fast Data) 与个人数据之中倍数成长并持续演化,而全球各地为数众多的消费者,都将透过智能手机体验这一波数据汇流风潮。

Counterpoint Research装置及生态系统研究总监 (research director of devices and ecosystems) Neil Shah表示:「我们估计在2018年底,全球智能手机平均储存容量将攀升到60GB 以上,以支持装置中比重越来越高的丰富多媒体内容,以及人工智能、扩增实境等各种由数据驱动的体验。这代表先进3D NAND嵌入式快闪储存解决方案是大势所趋,而这些丰富的体验也将被提升到更高的层次。」

Western Digital嵌入式与集成解决方案部门副总裁Christopher Bergey指出:「除了360度影片及多镜头相机,移动应用程序也开始采用人工智能技术提供更佳的体验,推动智能手机数据为中心的本质至全新境界。我们创新的iNAND解决方案,为现今密集的移动应用程序及体验,打造出最合适的数据环境,并支持其蓬勃发展。结合Western Digital领先业界的X3 3D NAND技术,以及具备应用感知(application-aware)的SmartSLC技术的全面提升,得以提供用户最智能及卓越效能的iNAND装置。这些iNAND产品系列的新成员,让我们能够持续满足全球移动市场不断增长的移动数据需求。」

iNAND 8521嵌入式快闪内存 专为旗舰移动装置设计 展现未来5G网络的效能
iNAND 8521嵌入式快闪内存专为对数据应用有强度需求的用户设计,采用UFS 2.1介面以及Western Digital最新的第五代SmartSLC技术,与前一代针对旗舰智能手机所推出的iNAND 7232嵌入式快闪内存相比,连续写入速度最高为其两倍1,随机写入速度最高可达10倍2。iNAND 8521能快速且智能地回应用户的应用程序效能需求,无论操作虚拟实境游戏或下载高解析电影的速度皆如虎添翼。iNAND 8521嵌入式快闪内存的数据传输速度卓越出众,让移动用户能够充分利用最新Wi-Fi速度,并在电信服务供应商提供5G网络时可以使用网络增强技术。

iNAND 7550专为轻便、高容量主流智能手机所设计
iNAND 7550嵌入式快闪内存让移动装置制造商生产符合成本效益的智能手机与运算装置,提供充足的储存空间,满足消费者持续增加的数据需求,并同时提供快速的应用程序体验。其采用e.MMC 5.1规格,是Western Digital采用e.MMC介面所推出的众多产品中效能最高的iNAND嵌入式快闪内存,连续写入效能最高260 MB/s,随机读/写效能则分别为20K IOPS和15K IOPS3,让iNAND 7550得以增强开机与应用程序开启时间。

上市时间与更多产品特色
以SanDisk®品牌推出的iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式快闪内存是iNAND系列的生力军,10多年来该系列已备受全球各大智能手机与平板制造商信赖。Western Digital目前已针对iNAND 8521与iNAND 7550储存解决方案为OEM客户提供样本,容量最高为256GB4。更多産品信息,包括OEM工具及资源等信息,请参考https://www.sandisk.com/oem-design/mobile。

关于Western Digital
Western Digital Corporation创造数据蓬勃的环境,该公司正推动所需的创新环境,协助客户在日益增长的数据中进行撷取、保存、存取与转换。在无所不在的数据生活中,从先进的数据中心、移动装置感测器,到个人的装置,提供领先业界对于数据可行性的解决方案。Western Digital数据中心解决方案以G-Technology™, HGST, SanDisk®, Tegile™, Upthere™和WD®品牌销售。

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Western Digital、Western Digital logo、SanDisk、SanDisk logo和iNAND均为Western Digital Corporation或其附属公司在美国和/或其他国家所拥有之注册商标。所有其他商标均属其个别所有人之财产。© 2017 Western Digital Corporation及其附属公司,版权所有。


1. 连续写入速度最高500MB/s,iNAND 7232则为160 MB/s。依据内部测试;效能可能因内存容量丶主机装置、档案属性、操作系统与应用程序而异。
2. 随机写入速度为45K IPOS,iNAND 7232则为4K IOPS。依据内部测试;效能可能因内存容量、主机装置、档案属性、操作系统与应用程序而异。
3. 依据内部测试;效能可能因内存容量、主机装置、档案属性、操作系统与应用程序而异。
4. 1GB等于10亿字节。实际使用容量可能较少。


前瞻性声明
本新闻稿包含部分前瞻性陈述,包括iNAND产品组合及嵌入式快闪内存相关技术与产品开发工作有关之陈述。这些前瞻性陈述涉及风险和不确定因素,可能导致实际结果与前瞻性陈述有差异,其中包括:全球经济情势波动;储存生态系统的业务状况与成长;竞争产品与定价的影响;市场接受度,以及商品原料和特殊产品零组件的成本;竞争对手的移动;具竞争关系之技术出现意外进展;我们根据新技术所开发与推出之产品,以及在数据储存新市场的扩张移动;并购、合资相关风险;制造过程出现困难或延迟;以及公司呈交给美国证管会文件中所列其他风险及不确定因素,这些文件包括我们在2017年11月7日呈交给美国证管会之Form 10-Q,提醒您特别留意。请勿过度仰赖上述前瞻性陈述,因内容仅代表发文时状况,且本公司不承担更新上述前瞻性陈述之义务,以反映后续事件与状况。

- 新闻稿有效日期,至2018/01/05为止


联络人 :Ula
联络电话:02-7718-7777
电子邮件:ula@apexpr.com.tw

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