BiCS3 X4技術能在單一晶片上提供領先業界的768Gb (gigabits) 儲存容量，與採用X3 (每單元3位元) 技術的512Gb晶片相比，提高了50%的容量。Western Digital將在今年8月美國加州聖塔克拉拉 (Santa Clara) 的快閃記憶體高峰會 (Flash Memory Summit) 上展示採用BiCS3 X4架構技術的SSD 和可移動攜帶式產品。

Western Digital記憶體技術執行副總裁Siva Sivaram博士表示：「X4架構技術應用於BiCS3是Western Digital的一項重大發展，因為這不但證明了我們在NAND快閃記憶體技術領域的領導地位，也讓我們能提供客戶更多的儲存方案。這次發佈最重要的一點，就是在BiCS3 採用X4架構的創新技術能提供與BiCS3 X3相當的效能。縮小X4與X3架構的效能差距，是一項重要和革新化的功能，有助於在未來幾年提高市場對X4架構技術的接受度。」

3D NAND X4架構技術是Western Digital在快閃記憶體產業近30年來再次創新領導研發的成就，其他包括早期業界領先採用X2 (每單元2位元) 與X3 (每單元3位元) 架構的多層儲存單元 (MLC) 快閃記憶體技術。

Western Digital期望能將3D NAND X4技術商品化並應用到各種能充分利用X4更高容量優勢的終端產品。未來世代的3D NAND技術，包括96層BiCS4在內也預估將具備X4性能設計。

關於Western Digital
Western Digital是業內領先的儲存技術和解決方案供應商，能讓使用者建立、利用、體驗和儲存資料。公司提供種類齊全且極具吸引力的高品質儲存解決方案，它們具有以客戶為中心的創新功能以及極高的效率、靈活性和儲存速度，可滿足不斷變化的市場需求。產品以HGST、SanDisk 和 WD 品牌銷售給 OEM、代理商、經銷商、雲端基礎架構供應商和消費者。財務與投資人相關資訊請見投資人關係網頁：investor.wdc.com.。

前瞻性聲明
本新聞稿包含部分前瞻性陳述，包括與3D NAND技術相關之各種預測，包含根據現況所預期的開發、性能、效能提升、應用、產能與客戶，以及本公司參與快閃記憶體高峰會一事。有幾種風險及不確定因素可能導致這些前瞻性陳述失準，其中包括：全球經濟情勢波動；儲存生態系統的業務狀況與成長；競爭產品與定價的影響；市場接受度，以及商品原料和特殊產品零組件的成本；競爭對手的行動；具競爭關係之技術出現意外進展；本公司根據新技術所開發與推出之產品，以及在資料儲存新市場的擴張行動；併購、合資相關風險；製造過程出現困難或延遲；以及公司提報給美國證管會(SEC)文件中所列其他風險及不確定因素，這些文件包括2017年5月8日提報予SEC之Form 10-Q，提醒您特別留意。請勿過度仰賴上述前瞻性陳述，因內容僅代表發文時狀況，且本公司不承擔更新上述前瞻性陳述之義務，以反映後續事件與狀況。

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11GB等於10億位元組。實際使用的儲存容量會比較低。

- 新聞稿有效日期，至2017/08/30為止

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