IR高效率150V DirectFET MOSFET
帶來散熱效能更佳、體積更小巧的DC-DC轉換器應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出最新150V DirectFET MOSFET –IRF6643PbF，適用於包括36V至75V通用電訊輸入及48V固定輸入系統等多種運作環境的隔離式DC-DC轉換器。新DirectFET元件結合了IR的DirectFET封裝技術及新一代HEXFET功率MOSFET矽晶體，電流額定可達至35安培，並提供卓越的散熱效能和更高的效率，但佔位面積只與較短小的SO-8封裝相若。IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IR DirectFET系列的最新元件繼續改善決定功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD效能表現的關鍵參數，所以能把傳導、切換及反向修復損耗降至最低。這些改進使讓元件能在較高的電流量下運作，但同時保留單一MOSFET的小巧體積。」 朱氏續稱：「基於把電路版的面積減少逾50%，現在一枚DirectFET MOSFET可以代替兩枚或三枚SO-8封裝元件。」
新元件的典型10V RDS(on) 非常低，只為29mOhms，其低電感也使元件相當適合高電流同步整流插座。同時，IRF6643TRPbF的QG是39nC、QGD為11nC，數目非常低，因而可作為隔離式或DC-DC降壓轉換器的MOSFET。IRF6643TRPbF採用中級大小 (MZ) DirectFET封裝。有關新元件的數據資料及其他詳細資料，可瀏覽http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。 產品基本規格如下：
元件編號：IRF6643TRPbF
封裝：DirectFET中罐
BVDSS (V)：150
在10.0V以下在10V以下最大RDS(on)(mOhm)：34.5
典型RDS(on)(mOhm)：29
VGS (V)：20
在攝氏25度的ID (A)：35
典型QG (nC)：39
典型QGD (nC)：11
IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝，具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優點。它們的金屬容器結構可提供雙面冷卻功能，把用於驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力，有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內的元件皆符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。有關DirectFET MOSFET封裝技術的詳情，可瀏覽directfet.irf.com及discovery.irf.com。 IRF6643TRPbF DirectFET MOSFET現已供貨。 關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可
用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、
衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。 新聞聯絡人：
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總經理 朱文義
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