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產業動態 IDT為業界首先量產先進記憶體緩衝器晶片
理登公關 本新聞稿發佈於2006/02/26,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

在時脈晶片享有盛名的IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.;納斯達克上市代號:IDTI),宣佈其先進記憶體緩衝器晶片(advanced memory buffer; AMB)已通過英特爾 (Intel) 的驗證程序,成為業界第一家能夠量產供貨AMB的廠商,建立劃時代的里程碑。

 
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在時脈晶片享有盛名的IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.;納斯達克上市代號:IDTI),宣佈其先進記憶體緩衝器晶片(advanced memory buffer; AMB)已通過英特爾 (Intel) 的驗證程序,成為業界第一家能夠量產供貨AMB的廠商,建立劃時代的里程碑。

應用於全緩衝雙線記憶體模組 (Fully Buffered Dual In-line DIMM, FB-DIMM)解決方案,AMB晶片能有效增加伺服器和工作站的速度和記憶容量,強化資料處理能力。整合於FB-DIMM,IDT 的AMB晶片負責系統中每一個DIMM的資料緩衝、蒐集和傳輸,為下一代高速伺服器及工作站的主要建構區塊。

「我們很高興能在伺服器技術進入重大變革的過程中,擔任領導者的角色,竭力為伺服器DIMM市場提供卓越的技術支援,」 IDT時脈解決方案事業群資深副總裁Jimmy Lee表示,「隨著越來越多伺服器製造商採用全緩衝雙線記憶體模組(FB-DIMM)的新架構,我們的客戶和合作夥伴也能持續採用IDT最新的AMB晶片,以符合FB-DIMM架構對於時脈的要求。」

「目前伺服器正積極導入全緩衝雙線記憶體模組(即FB-DIMM) 這種最新的技術架構,讓伺服器及工作站的效能更穩定,並增加記憶體擴充的彈性,」根據英特爾(Intel)伺服器平台事業群行銷處總經理Boud Davis表示,「為能夠順利完成FB-DIMM架構的轉變,必須要有具機動性及多元化的元件供應商來提供這些基礎的建構元件才能完成。」

- 新聞稿有效日期,至2006/03/29為止


聯絡人 :薛光妤
聯絡電話:2502-2233# 815
電子郵件:Gwen_hsueh@lhc.com.tw

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