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產業動態 IR新型HEXFET MOSFET晶片組效率超出2%
香港商廿一世紀公關顧問股份有限公司 本新聞稿發佈於2006/02/14,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案,它們可提供高出2%的輕負載效率,用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器,適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用。

 
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案,它們可提供高出2%的輕負載效率,用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器,適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用。

這兩款新型無鉛元件分別是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,它們能夠體現最佳的傳導、交換和本體二極管損耗,發揮最大的效率和功率密度。兩款元件可用作二極同步降壓轉換器電路中的晶片組,這些電路每相需要1個控制和2個同步MOSFET。這些新型SO-8 MOSFET還適用於其他採用PWM控制的DC-DC降壓轉換器應用。

IR台灣分公司總經理朱文義表示:「在低至中功率水平,高效率對筆記簿型電腦十分重要,因為它們是最主流的電池驅動產品。我們的新晶片組可針對這方面的需要,在5至15安培的範圍內把效率提升2%。新元件可減低功率損耗,從而降低系統的操作溫度,這一點對便攜式電腦也相當重要。」

新晶片組包含1個控制MOSFET和1個同步MOSFET,每個元件皆經過定製,各自發揮最大效能。控制MOSFET具有更低的交換損耗 (閘電荷),同步MOSFET則具有低傳導損耗 (低通態電阻) 及低逆向恢復電荷。

IRF7823PbF是一款經過最佳化的控制場效應管 (FET),閘電荷 (Qg) 與閘漏極電荷 (Qgd) 都十分低,分別只有9.1nC和3.2nC。

IRF7832ZPbF同樣經過最佳化,能發揮完善的同步FET功能;在4.5V 下的典型通態電阻極低,只有3.7mOhm,適用於12A或以下的應用環境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF現在已開始供貨。它們皆不含鉛,而且符合有害物質管制規定 (RoHS)。基本規格如下:
元件編號 BVDSS
(V) VGS
(V) 典型RDS(on)/
最大
VGS=4.5V
(mOhm) 典型RDS(on)/
最大
VGS=10V
(mOhm) Vth
(V) QG VGS=5V
(nC) QGS1
(nC) QGD Vds=16V
(nC) QGS2
(nC)
IRF7823PbF
30 ±20 9.3/ 11.9 6.9/ 8.7 1.9 9.1 2.7 3.2 0.8
IRF7832ZPbF
30 ±20 3.7/ 4.5 3.1/ 3.8 1.3 - 2.3 30 7.9 11 2.6

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件,可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

- 新聞稿有效日期,至2006/03/15為止


聯絡人 :徐可欣
聯絡電話:2577-2100 Ext. 515
電子郵件:kate.hsu@erapr.com

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