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隨著高數據傳輸率的應用為LTE無線網絡帶來更大的壓力，業界需要創新的解決方案如小型蜂巢基地台(small cell base stations, BTS)和載波聚合(carrier aggregation)等來縮短高流量區的頻寬差距。為了回應更廣泛的頻寬需求，科銳公司(Nasdaq: CREE)推出了氮化鎵(GaN) HEMT 射頻電晶體系列，提供業界領先的頻寬和高效率性能，以支援現今繁忙的LTE網絡。新型的科銳GaN HEMT 射頻電晶體以塑膠雙扁平無引線(dual-flat no-leads, DFN) 表面貼裝封裝提供，為設計人員提供可負擔的方式，在這些應用中取代效率較低的矽(Si)或砷化鎵(GaAs)電晶體。 科銳的射頻業務部銷售及市場總監Tom Dekker表示：「長串數據應用日益增加的趨勢帶動了小型蜂巢式基地台(small cell)的開發需求，以改善無線網絡的性能。我們行業領先的氮化鎵(GaN)技術為我們小型蜂巢式基地台客戶提供所要求的理想頻寬、靈活性、效率和負擔能力。」 新的GaN HEMT DFN產品系列包括28V和50V、15W和30W的獨步電晶體。這些頻率捷變(frequency-agile)電晶體能夠在700MHz和3.8GHz瞬時頻率的範圍內運作，而且在頻寬分割時可以優化。多頻段功能創造了設計靈活性，協助小型蜂巢基地台原始設備製造商(OEM)加速產品上市，並讓營運商為不同的市場需求重新配置相同的小型蜂巢單元。 在高效率的應用方面，科銳的GaN HEMT射頻電晶體可協助縮減LTE蜂巢網絡發射器的尺寸和重量，並簡化散熱管理，而這些效率的提升為營運成本帶來顯著的節源效果。科銳開發的Doherty參考設計CDPA27045，採用15W和30W的HEMT DFN電晶體，展示了該項技術的出色效率。在LTE 7.5dB高峰值對均值比(peak-to-average ratio)訊號的條件下，該設計在10W平均功率時可提供約50%的汲極效率 (drain efficiency)，並在覆蓋2.5-2.7 GHz瞬時射頻頻寬的同時提供16dB的線性增益。
新的氮化鎵(GaN) HEMT DFN射頻電晶體系列是建基於科銳經驗證的50V、0.4µm閘極長度製程。CGH27030S (30W, 28V, 0.4µm)、CGHV27015S (15W, 50V, 0.4µm)和CGHV27030S (30W, 50V, 0.4µm) 等GaN HEMT電晶體現已提供樣品和參考設計。
要獲取更多資訊，請瀏覽公司網站www.cree.com/smallcell。 關於科銳 (Cree) 科銳是照明級LED、LED照明，以及電源和射頻(RF)應用半導體產品的市場領先創新廠商。 科銳的產品系列包括LED燈具和燈泡、藍光和綠光LED晶片、高亮度LED、照明級大功率LED、功率開關元件和RF元件。科銳的產品正在推動通用照明、背光照明、電子顯示和訊號、電源和太陽能逆變器等應用的改進。 查詢科銳和產品的詳情，請瀏覽公司網站www.cree.com，要瞭解有關LED照明革新的更多資訊，請瀏覽www.creeledrevolution.com。 本新聞稿包含了涉及(已知和未知)風險和不確定性的前瞻性聲明，可能導致實際結果與這些預期說明出現重大的差異。實際結果可能發生重大差異的諸多因素包括實際節能與預期不同的風險；我們可能無法以足夠低的成本製造這些新產品，從而提供具有競爭力的價格或可接受的利潤；我們可能在新產品產量提高時發生延遲或其它困難的風險；客戶對於LED產品的接受程度；新技術和競爭產品的快速開發可能削弱對科銳產品的需求或導致科銳產品的淘汰，以及在科銳公司提交予證券交易委員會的檔中討論的其它因素，包括截至2013年6月30日的Form 10-K報告，以及後續檔案。 Cree® 是Cree, Inc.的註冊商標。
- 新聞稿有效日期，至2014/06/20為止
聯絡人 ：Iris Koo
聯絡電話：25258978
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