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致力於提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣佈已開始供應下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣雙極閘電晶體(insulated bipolar gate transistors, IGBT) 產品，它們具有45A、70A和95A等三種額定電流可供選擇。美高森美全新NPT IGBT產品系列是專為嚴苛工作環境所設計的產品，尤其適用於太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。 美高森美新的功率器件因可提供業界最佳的損耗性能，從而改善了效率，與最接近競爭廠商的IGBT產品相比，效率大約提高了8%。新的NPT IGBT器件還能夠實現高達150 kHz的極高開關速率，在與美高森美的碳化矽(silicon carbide, SiC) 飛輪二極體 (free-wheeling diode)配對使用時，開關速率還可進一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應用，這些領先的650V NPT IGBT藉由替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可讓開發人員降低整體的系統成本。 下一代650V產品系列中的所有器件都是建基於美高森美先進的Power MOS 8™ 技術，並採用了最先進的晶圓薄化(wafer thinning)製程。與競爭解決方案相比，可顯著地降低整體開關損耗，及讓器件在難以置信的快速開關頻率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市場累積的雄厚經驗，美高森美希望擴大IGBT市場占有率，根據Yole Développement最新的研究報告指出，此市場將從現今的36億美元增長到2018年的60億美元。 這些NPT IGBT器件易於並聯(Vcesat正溫度係數)，可以提升大電流模組的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT)，可以在嚴苛的工業環境下可靠地運作。
新的IGBT器件具有各種封裝，包括TO-247、T-MAX和模組。要瞭解更多資訊或索取樣品，請聯絡當地分銷商或美高森美銷售代表，或發送電子郵件到sales.support@microsemi.com。要瞭解更多的生產資訊，請瀏覽公司網站www.microsemi.com。
- 新聞稿有效日期，至2013/09/21為止
聯絡人 ：Emmy Kwok
聯絡電話：852 25258978
電子郵件：emmy@techworksasia.com
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