新聞稿

安森美半導體推出領先業界的最佳系統級性能的IGBT，
擴充產品陣容

新的IGBT元件擴充了額定電流範圍，為UPS、電火鍋、電鍋及微波爐等電源應用
提供高能效、高速開關能力
2013年5月15日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續擴充高性能絕緣閘雙極電晶體管(IGBT)產品陣容，應用於消費類電器及工業應用的高性能電源轉換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場截止型(FSII) IGBT元件改善開關特性，降低損耗達30%，因而提供更高能效，並轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統總體性能及可靠性的選擇。這些新元件針對目標應用進行了最佳化，相比現有元件能降低外殼溫度達20%。
安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：「電器的使用數量持續增多，使不斷增長的工業及消費市場的總能耗穩步上升。安森美半導體持續開發薄晶圓製程及植入技術，能夠顯著提升IGBT性能，而這對配合需求更多高能效方案極為重要。」
公司推出的FSII IGBT首組產品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW；這些元件優化了開關性能並降低了導電損耗，用於採用15千赫茲(kHz)到30 kHz的中等頻率工作的電磁加熱和柔性切換應用。元件在大電流時提供極佳的強固性和優異的導通狀態特性，根據系統要求經過優化，以提供更高能效及降低系統損耗。這些高速IGBT提供領先業界的系統級性能，用於電磁加熱產品，如電火鍋、電鍋及微波爐等電器。這系列元件提供1,200伏(V)及1,350 V平台版本，額定電流涵蓋20安培(A)、30 A及40 A。

安森美半導體的FSII IGBT技術進一步擴充，新產品還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列元件，專門設計用於太陽能逆變器、不間斷電源系統(UPS)及變頻焊機應用。這些元件提供增強的熱性能，結點工作溫度範圍達-55到+175°C，並將額定電流能力提升至採用TO-247封裝條件下的100 A。

安森美半導體提供高品質及可靠IGBT的實力悠久，其中通過汽車行業AEC-Q認證的IGBT量產已經超過十年。2011年，公司開始開發新的高壓/大電流IGBT，用於不斷增長、持續需求高能效方案的工業及消費類市場。安森美半導體採用專有溝槽場截止型IGBT技術的首個完整產品系列於2012年發佈，媲美競爭技術。此次發佈的最新FSII IGBT技術使安森美半導體居市場領先地位。

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)致力於推動高能效電子的創新，使工程師能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，説明客戶解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.com。

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沈美娟
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安森美半導體
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daisy.sham@onsemi.com

- 新聞稿有效日期，至2013/06/15為止

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