此新型產品系列的電壓範圍為1000-1400V，透過內置反向並聯二極體進行優化，適用於軟開關(soft switching)應用。 透過典型非崩潰(NPT : non-punch-through)IGBT技術改進方案，快捷半導體的陽極短路矽技術可提供更低飽和電壓，相較於具有相同額定電壓的NPT溝槽式IGBT可低12％以上。 此外，較之競爭者的IGBT產品，該產品系列可提供低於20％的拖尾電流等級。 這些特點使快捷半導體的先進IGBT能夠提供更佳的熱性能、更高的效率並減少功率損失。

特點及優點：

• 高速開關 頻率範圍︰ 10 至 50 kHz
• 業內最低的拖尾電流，可改善開關損失(FGA20S140P)
• 低於現有NPT溝槽式IGBT的飽和壓降
• 強大的罐檢測(pot detection)、抗雜訊功能，提供可靠性
• 高溫穩定行為︰Tj(max) = 175 ºC
• 符合RoHS認証（無鉛電鍍）

封裝與定價資訊 (訂購 1000 件，單位：美元)：
按要求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨

提供TO-3P 3L封裝︰
• 1250V FGA20S125P $2.03
• 1250V FGA25S125P $2.03
• 1300V FGA30S120P $5.25
• 1400V FGA20S140P $2.25

提供TO-247 3L封裝︰
• 1300V FGH30S130P $3.40

快捷半導體的場截止陽極短路溝槽式IGBT 提供業內領先技術，能夠解決當今設計中面臨的能源效益及對小體積要求的難題。 這些應用是快捷半導體的高效率功率類比IC、離散式及光電功率元件解決方案的一部份，能夠在對節能有高度要求的應用中最大限度地節省能源。

快捷半導體：解決方案助您成功！

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快捷半導體公司簡介

美國快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號：FCS) － 全球營運、本地支援、創新觀念。快捷半導體為電源和可攜式設計提供高效率、易於應用及高附加價值的半導體解決方案。我們協助客戶開發差異化的產品，並以我們在功率和訊號路徑產品上的專業知識解決其遇到的困難技術挑戰。要瞭解更多資訊，請瀏覽網站：www.fairchildsemi.com。

- 新聞稿有效日期，至2013/03/02為止

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