與矽材料相比，SiC技術提供了更高崩潰電場強度和更佳熱傳導率，從而為參數實現性能特性改進，包括零逆向恢復、不受溫度影響的特性、更高工作電壓和更高工作溫度，以提供全新的性能、效率和可靠性水準。

美高森美功率模組產品事業群總經理Philippe Dupin表示：「我們應用在功率半導體整合和封裝領域的廣泛的專業技術，提供下一代碳化矽功率模組系列，這些元件具有出色的性能、可靠性和綜合品質水準。我們的新模組還使得設計人員能夠縮減系統尺寸和重量，同時降低整體系統成本。」

關於新的SiC模組

美高森美新的工業溫度SiC功率模組具有多種電路拓撲，並且整合在低側高封裝內。新模組產品系列中的大多數產品使用氮化鋁(aluminum nitride，AIN)基底，以提供與散熱器的隔離，從而改善到散熱系統的熱傳遞。

其它的額外功能包括高速開關、低開關損耗、低輸入電容、低驅動要求、低側高和最小寄生電感，能夠實現高頻率、高性能、高密度和節能的電力系統。

新工業溫度模組系列包括以下參數和元件：

• 1200V升壓斬波電路(boost chopper)，額定電流為50至100A (元件編號：APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2)

• 1200V相臂(phase leg)架構，額定電流為40至200A (元件編號：APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和 APTMC120AM55CT1AG)

• 600V中性點箝位架構，專用於太陽能或UPS應用的三級逆變器，額定電流為20至160A (元件編號：APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG)

• 中性點箝位架構，600V/1200V混合電壓，額定電流為20至50A (元件編號：APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G)

美高森美的SiC產品組合包括離散和模組封裝的蕭特基二極體，以及提供標準和客製化配置、採用SiC肖特基二極體和IGBT或MOSFET電晶體組合的功率模組。

供貨

美高森美以短交貨週期提供工業溫度SiC標準功率模組樣品。要瞭解更多的資訊，請聯絡當地美高森美公司銷售代表。

關於美高森美公司

美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對通訊、國防與安全、以及航太與工業提供最全面的半導體與系統解決方案產品組合。產品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻元件，可程式邏輯元件(FPGA)、單晶片系統(SoC)與ASICS；電源管理產品、時脈與語音處理元件、射頻解決方案；離散元件；安全技術和可擴展反篡改產品；以及乙太網路供電(PoE)IC與中跨(midspan)產品；以及客製化設計能力與服務。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo，全球擁有約3000位員工。要了解詳情，請造訪其網站http://www.microsemi.com。

－完－

所有商標為美高森美公司財產，所有其它商標及服務標章屬有關擁有者所有。

以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的「安全規避」聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為「前瞻性聲明」，這些「前瞻性聲明」可能涉及風險，不確定性和假設，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。具體的前瞻性聲明包括新一代工業溫度碳化矽(SiC)標準功率模組，以及其對未來業務的潛在影響的陳述。其中，下列因素可能導致實際結果與這些前瞻性聲明中所描述的結果存在實質性的差異：技術的快速變化或產品停產;潛在成本上漲;客戶訂單偏好的改變;半導體業界的激烈競爭以及隨之而來的價格下滑壓力，對產品的需求與接受程度相關的不確定因素;終端市場的不利條件;正在進行中或已計劃的發展或市場推廣和宣傳所帶來的影響，預測未來需求的困難性;預期訂單或積壓訂單無法實現的可能性;產品責任問題，以及現有或預計半導體業界出現其它未能預計的潛在業務和經濟情況或不利因素;保護專利及其它所有權的困難性和成本，客戶的產品驗證事宜而引致產品停產或其它困難等。美高森美將在未來不定期提交附加的風險因素。除這些因素和在本新聞稿的其他部分所提到的其他因素外，讀者還應參閱由美高森美向美國證券交易委員會備案的公司最新10-K表格及所有後續的10-Q報告中所述的因素，不確定性或風險。本新聞稿所含的前瞻性陳述僅敘述截至本稿刊發之日的情形，並且美高森美概不承擔對這些前瞻性陳述進行更新以反映後續事件或情況的義務。

- 新聞稿有效日期，至2013/02/24為止

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