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產業動態 Microsemi推出新型高成本效益瞬變電壓抑制器為飛機提供雷擊保護
Techworks Asia Ltd 本新聞稿發佈於2012/11/12,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

Microsemi推出新型高成本效益瞬變電壓抑制器為飛機提供雷擊保護 - - - - - 成本更低的專利PLAD封裝可將多次閃擊雷電保護元件價格減少達20%

 
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 推出兩款採用專利塑料大面積元件(plastic large area device, PLAD)封裝的全新低成本瞬變電壓抑制器(transient voltage suppressor, TVS)產品。成本更低的15kW MPLAD15KP和30kW MPLAD15KP TVS系列可以滿足飛機的雷電保護要求,包括多次閃擊標準(RTCA DO-160E)。隨著複合材料機身的推出和使用率日益增加,雷電保護變得更加重要。兩款元件均採用表面安裝封裝,並且與美高森美前代PLAD封裝TVS元件逆向相容,電氣或熱性能規範均無改變。

美高森美高可靠性產品部門行銷總監Durga Peddireddy表示:「我們經由重新設計專有PLAD封裝,可為客戶提供將TVS保護元件成本降低大約20%的高可靠性解決方案。此外,我們的單一元件解決方案可以節省電路板空間,減輕重量,同時提高可靠性,超越通常用於提供這些高水準保護功能的多元件設計。」

新推出的15 kW和30 kW PLAD設計能夠降低電壓湧浪保護元件的成本,防止由於電感性負載開關或雷電間接效應造成的數位訊號處理破壞、零組件損壞和功能中斷。PLAD封裝結合了大晶片尺寸和一個用於散熱的大型裸露金屬底片,提供相比通孔設計更佳的電力輸送性能。PLAD還與標準表面安裝組裝自動化製程相容。

15 kW系列TVS元件的工作電壓範圍為7V至200 V(待機),30 kW系列的工作電壓範圍則為14V至400 V,兩個產品系列均備有單向和雙向型款。這些元件採用RoHS相容形式(2002/95/EC)或SnPb接腳鍍層。它們不含鹵素(IEC 61249-2-21)並達到MSL level 1 (J-STD-020)產業標準。

美高森美所有的PLAD封裝元件均經過100%湧浪測試,並可提供各種「強化篩選」(upscreened)型款元件,這些元件經過各種水準的附加認證和篩選測試(與應用於JANX軍用等級元件的測試相似),以便消除元件初期失效率和提升可靠性。材料和製造更改只依照客戶的製程更改通知(Process Change Notification)來進行。要瞭解更多的資訊,請瀏覽公司網頁http://www.microsemi.com/en/sites/default/files/datasheets/HiRel_Up-Screen_Plastic.pdf。

除了TVS元件之外,美高森美航空產品系列包括:可程式閘陣列(FPGA)、IC、整合型標準和客製化產品、功率模組、電源、射頻、微波和毫米波解決方案,以及高可靠性非半導體產品。許多元件具有耐輻射或抗輻射特性,經過Class-B QML和DSCC認證。

要瞭解更多的資訊,請瀏覽公司網頁 http://www.microsemi.com/en/design-support/product-brochures.

美高森美誠邀客戶在二○一二年十一月十三至十六日於德國慕尼黑新展覽中心舉辦的electronica 2012展覽會上,瞭解有關新型TVS元件和廣泛的航空航太解決方案產品系列的更多資訊,美高森美TVS元件將在A4展館207號展位展出。

關於美高森美公司

美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對通訊、國防與安全、航太,醫療與工業,以及新能源市場提供最全面的半導體與系統解決方案產品組合。產品包括混合訊號與RF積體電路、SoC與ASICS、可程式類比解決方案、電源管理產品、時脈與語音處理元件、射頻解決方案、離散元件,以及乙太網路供電(PoE)IC與中跨(midspan)產品。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo,全球擁有約3000位員工。要了解詳情,請造訪其網站http://www.microsemi.com。

-完-

所有商標為美高森美公司財產,所有其它商標及服務標章屬有關擁有者所有。

以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的「安全規避」聲明:本文中所有還不是歷史事實的聲明均為「前瞻性聲明」,這些「前瞻性聲明」可能涉及風險,不確定性和假設,而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。具體的前瞻性聲明包括採用專利PLAD封裝的瞬變電壓抑制器產品,以及其對未來業務的潛在影響的陳述。其中,下列因素可能導致實際結果與這些前瞻性聲明中所描述的結果存在實質性的差異:技術的快速變化或產品停產;潛在成本上漲;客戶訂單偏好的改變;半導體業界的激烈競爭以及隨之而來的價格下滑壓力,對產品的需求與接受程度相關的不確定因素;終端市場的不利條件;正在進行中或已計劃的發展或市場推廣和宣傳所帶來的影響,預測未來需求的困難性;預期訂單或積壓訂單無法實現的可能性;產品責任問題,以及現有或預計半導體業界出現其它未能預計的潛在業務和經濟情況或不利因素;保護專利及其它所有權的困難性和成本,客戶的產品驗證事宜而引致產品停產或其它困難等。美高森美將在未來不定期提交附加的風險因素。除這些因素和在本新聞稿的其他部分所提到的其他因素外,讀者還應參閱由美高森美向美國證券交易委員會備案的公司最新10-K表格及所有後續的10-Q報告中所述的因素,不確定性或風險。本新聞稿所含的前瞻性陳述僅敘述截至本稿刊發之日的情形,並且美高森美概不承擔對這些前瞻性陳述進行更新以反映後續事件或情況的義務。

- 新聞稿有效日期,至2012/12/13為止


聯絡人 :Venus
聯絡電話:852-25258038
電子郵件:venus@techworksasia.com

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