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Diodes公司推出首款採用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該元件的結點至環境熱阻 (Rthj-a) 為130ºC/W，能於持續狀態下支援高達1W的功率耗散，比起佔位面積相同、Rthj-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能提供更低溫度運行。 這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與採用SOT723 封裝的MOSFET一樣，印刷電路板 (PCB) 面積為1.44mm2，並具備0.5mm的離板高度，但後者的熱力效能則較低。這對採用DFN1212-3封裝的MOSFET可輕易替換高可靠性的訊號及負載開關應用，適用於包括數位相機、平板電腦和智慧型手機在內的高可攜式消費性電子產品。 Diodes公司最先推出的這對MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道元件。該N通道MOSFET的典型導通電阻在VGS等於1.8V的情況下為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，可以大幅減少傳導損耗和功耗。 Diodes之後也會推出採用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的元件，和一系列雙極型器件。
Diodes簡介 Diodes Incorporated為標普小型股600指數 (S&P SmallCap 600 Index) 及羅素3000指數公司，活躍於全球離散、邏輯及類比半導體市場，致力製造及供應優質的特殊應用標準產品，服務消費性電子、電腦、通訊、工業及汽車等不同市場。Diodes的產品包括二極管、整流器、電晶體、MOSFET、保護設備、特殊功能陣列、單閘邏輯、放大器和比較器、霍爾效應及溫度應傳感器，以及涵蓋LED驅動器、直流-直流切換和線性穩壓器、電壓參考的功率管理元件，以至USB電源開關、負載開關、電壓監控程式及馬達控制器等特殊功能元件。 Diodes公司總部、物流辦事處及美國業務辦事處位於美國德州普萊諾市，在普萊諾、聖荷西、台北、英國和德國設有設計、行銷及研發中心；在密蘇里州坎薩斯城及英國曼徹斯特設有晶圓製造廠；在上海設有兩所製造廠、在德國諾伊豪斯設有一所，另於成都設有合資廠房；在台北、香港及曼徹斯特設有研發、業務、倉庫及物流辦事處；並在世界各地設有業務與支援辦事處。 有關進一步的詳盡資訊，包括美國證監會存檔，可瀏覽該公司網站，網址為www.diodes.com。
- 新聞稿有效日期，至2012/01/28為止
聯絡人 ：許博淳
聯絡電話：02 8773-4277 #132
電子郵件：william_hsu@accesspr.com.tw
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