晶片組內包含IRF6621控制MOSFET和IRF6612同步MOSFET。兩項元件皆經過定製，能夠在同步DC-DC降壓轉換器電路中展現最高性能。控制MOSFET有效減少交換損耗，同步MOSFET則具有低傳導損耗 (低通態電阻) 、低逆向恢復電荷等優點。新晶片組可在每相18A的環境下達到87% 以上的效率；在每相10A的中電流水平下，更可達到90% 以上的效率。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「相較於3個SO-8元件，2個DirectFET MOSFET已能節省接近50% 的機板空間。新晶片組為需要在14A至18A的中階功率轉換應用領域上引入緊密和高效率交換技術的客戶，帶來最佳效益。」

IRF6621的Qg和Qgd分別低至11nC和3.8nC，最適合用做控制場效應管 (FET)。該元件的通態電阻-閘電荷 (108mOhm-nC) 較IR原有的30VN元件 (IRF6608，128mOhm-nC) 減少了15% ，並且採用小型罐式 (SQ) DirectFET封裝，體積較標準SO-8封裝約小38%。

IRF6612典型的4.5V RDS(on) 相當低，只有3.4 mOhm，最適合在中度電流應用 (每功率通道14A至18A) 中用做同步場效應管。該元件同樣採用中型罐式 (MX) DirectFET封裝，為需要在更高電流或最佳導熱效能的應用中採用其他DirectFET元件 (如IRF6611、IRF6678或IRF6635) 的客戶，提供簡易的設計途徑。

IRF6612和IRF6621 DirectFET MOSFET現在已開始供貨。產品編號中如帶有TR，則表示採用捲帶式 (Tape and Reel) 封裝，如IRF6612TR和IRF6621TR。產品的基本規格如下：

產品編號: IRF6612
封裝: DirectFET MX
BVDSS (V): 30
10V下最大RDS(on) (mohm): 3.3
4.5V下最大RDS(on) (mohm): 4.4
VGS (V): 20
TC=25°C下之ID (A): 136
典型QG (nC): 30
典型QGD (nC): 10

產品編號: IRF6621
封裝: DirectFET SQ
BVDSS (V): 30
10V下最大RDS(on) (mohm): 9.5
4.5V下最大RDS(on) (mohm): 13.3
VGS (V): 20
TC=25°C下之ID (A): 55
典型QG (nC): 11
典型QGD (nC): 3.8

IR的專利DirectFET MOSFET封裝融合了一系列前所未見的新設計優點，而非目前標準的塑料分立封裝所能提供。當中的金屬罐狀結構可提供雙面冷卻，有效把驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力提高1倍。此外，DirectFET封裝內的元件皆符合「電子產品有害物質限制指令」(RoHS)，不含鉛或溴化物。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)

國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

- 新聞稿有效日期，至2005/08/25為止

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