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行业动态 Power Devices & ICs 国际研讨会
财团法人自强工业科学基金会 本新闻稿发布于2011/07/20,由发布之企业承担内容之立场与责任,与本站无关

随著节能议题在全世界持续延烧,功率电子技术逐渐在半导体领域中崭露头角,不论是传统的晶圆代工,或是DRAM转型,都将功率电子列入技术蓝图之中,例如德国Infineon已使用八寸设备制造CoolMOS,许多早期的六寸厂也加入Power ICs, MOSFET与Bipolar Devices的制造。此外国内蓬勃的模拟IC设计与制造商也广义地属于功率半导体领域,都是本研讨会预期可使其获益的行业项目。

 
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随著电源体积电路日益的缩小,其设计技术也必须与微电子IC设计技术集成;因此,Power IC 设计已成为一个需要具备特定专业知识与应用的IC设计行业。有鉴于此,自强基金会特别邀请来自英国剑桥大学的 Prof. Florin Udrea 及其实验室(High Voltage Microelectronics Laboratory, HVM Lab) 深入浅出的方式来阐述 Power Devices & ICs 的相关观念,并由基础的组成元件开始介绍,继而延伸到较复杂的 RESURF、Superjunction以及 SOI 技术。另外,进行详尽的半导体元件与制程模拟软件(TSUPREM4, MEDICI)的介绍与范例讲解.期使所有参与人员能透过此 Power Devices & ICs 国际研讨会,在功率元件物理与功率集成电路设计的专业议题上获得广泛且深入的信息。
本研讨会首次加入应用数值模拟技术于功率半导体设计之介绍,并讲解与示范元件设计、制程设计与电路设计等重点单元。
日期 2011/10/01 ~ 2011/10/02 (周六、日)
对象 功率元件、模组与IC设计相关行业及有兴趣之人士
地点 新竹清华大学研发大楼
主办单位 财团法人自强工业科学基金会
欢迎企业厂商赞助,我们将保留固定名额给您! 请电洽 (03) 573-5521 分机 3213 谢小姐
Day 1 议题
08:00 ~ 08:30 Registration
08:30 ~ 10:20 Introduction to Power Semiconductor Devices - Wesley Hsu
(Classification of Power IC Devices and Devices Physics)
10:20 ~ 10:40 Coffee Break
10:40 ~ 12:00 Power MOSFETs - Florin Udrea
12:00 ~ 13:00 Luncheon
13:00 ~ 14:20 High voltage Diodes - Wesley Hsu
14:20 ~ 14:40 Break
14:40 ~ 16:00 IGBTs - Part1 - Florin Udrea
16:00 ~ 16:20 Coffee Break
16:20 ~ 17:30 IGBTs - Part 2 - Florin Udrea
Day 2 议题
08:00 ~ 08:30 Registration
08:30 ~ 10:20 Advance Devices/Technologies for HV Power ICs - Florin Udrea
10:20 ~ 10:40 Coffee Break
10:40 ~ 12:00 Superjunctions - Florin Udrea
12:00 ~ 13:00 Luncheon
13:00 ~ 14:20 Introduction to Power Device and Process TCAD Simulation- Florin Udrea and Alice Hsieh
14:20 ~ 14:40 Break
14:40 ~ 16:00 Example of IGBT and Superjunction TCAD Simulation - Alice Hsieh
16:00 ~ 16:20 Coffee Break
16:20 ~ 17:00 Mix-mode (TCAD-Spice) Power Device Simulation - Alice Hsieh

- 新闻稿有效日期,至2011/08/19为止


联络人 :mayhsieh
联络电话:03-5735521分机3213
电子邮件:mayhsieh@tcfst.org.tw

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