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行业动态 富士通半导体推出采用0.18 µm技术之SPI FRAM系列产品
世纪奥美公关顾问 本新闻稿发布于2011/07/19,由发布之企业承担内容之立场与责任,与本站无关

2011年7月19日,台北—香港商富士通半导体有限公司台湾分公司今日宣布推出以0.18 µm技术为基础之全新SPI FRAM产品家族,包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A此3款型号,并从即日起开始提供客户样品。

 
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)技术将SRAM的快速读写与非挥发性快闪内存等优势都集成至一颗芯片。此款全新SPI FRAM系列MB85RSxxx包括3款型号:MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A,分别代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三个密度等级。此3款芯片的工作电压范围介于3.0 ~ 3.6V,可承受读写周期达一百亿次,并能将数据保存在55°C的环境下长达10年,且其工作频率已大幅提高至最大25MHz。因为FRAM产品在写入的处理过程中不需要电压增压器,因此很适合低功率应用。另外,该产品亦提供具有标准内存针脚配置的8针脚塑胶SOP封装,并可完全与E2PROM芯片兼容。

SPI FRAM系列产品阵容
产品型号 内存容量 电源 工作电压 写入/抹除次数 数据保存 封装
MB85RS256A 256K bit 3.0-3.6v -40-85 100亿次 10年 SOP-8
MB85RS128A 128K bit 3.0-3.6v -40-85 100亿次 10年 SOP-8
MB85RS64A 64K bit 3.0-3.6v -40-85 100亿次 10年 SOP-8

富士通半导体将本身丰富的开发和制造经验运用于最佳化集成芯片设计和生产工厂之间最紧密的合作关系,这些优势将能为提供给市场的众多丰富及高质量产品打造最坚实的基础,并兼具稳定的供应链。

富士通半导体除了推出SPI FRAM系列,还提供具备I²C和并列介面的FRAM独立芯片,其密度等级从16Kbit至4Mbit皆备。此外,富士通半导体正计划进一步扩展其FRAM产品阵容以满足更多的市场需求。

此款FRAM独立储存芯片可广泛运用于测量、工厂自动化应用,以及众多需要数据撷取、高速写入和高耐用性等功能之相关行业。FRAM对于其客户来说,不但可完美取代所有采用电池支持的解决方案,更是一款兼顾环保之产品。

- 新闻稿有效日期,至2011/08/19为止


联络人 :邱圣文
联络电话:(02) 2577-2100 分机805
电子邮件:kevinsw.chiou@eraogilvy.com

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