SanDisk計畫在本季將此19奈米64GB X2晶片送樣，並自2011年下半年開始量產。屆時，SanDisk也會將推出19奈米X3 (3-bits-per-cell)晶片。

SanDisk執行副總裁暨技術長Yoram Cedar表示：「我們很高興在和東芝(Toshiba)的持續合作下，領先業界推出這款採用19奈米製程技術，且尺寸最小、成本最低的NAND flash晶片。此成果主要針對日後更創新的應用、尺寸和消費者使用經驗所設計，預計也將持續推升快閃記憶體的產業發展至更高的境界。」

此項先進的19奈米裝置採用當今最精密的快閃記憶體製造技術，不僅在製程方面更為先進，也在元件設計上有所突破。SanDisk擁有專利All-Bit-Line (ABL) 架構，和多層資料儲存管理方案，有助於生產多層電路元(Multi-level Cell, MLC) NAND flash晶片，而無需擔心其效能或穩定度。
關於 SanDisk
快閃記憶卡創始企業及全球最大供應商SanDisk公司為快閃記憶技術之研發、製造、產品設計、消費品牌與零售配銷之全球龍頭廠商。SanDisk產品陣容包含手機、數位相機與錄放影機用快閃記憶卡、數位網路業者所用之MegaSIM卡、數位影音播放器、消費及商用USB隨身碟、行動設備之嵌入式記憶體以及電腦固態硬碟。SanDisk為S&P 500企業，其一半以上的營業額來自美國以外市場。

© 2011 SanDisk Corporation。SanDisk、SanDisk 標誌、RescuePRO為SanDisk 公司的商標，已在美國和其他國家註冊。Power Core及SanDisk Extreme Pro是SanDisk公司的商標。SDHC 和SDXC是SD-3C LLC的商標。ExpressCard是PCMCIA公司的商標。本文提及的其他商業名稱僅用於識別目的，可能為其各自持有者的商標。

此新聞稿中包含前瞻性聲明，包括以我們現在預期新產品的介紹、規格、應用與市場，以及風險與不確定性，從而令這些前瞻性陳述未必完全準確。影響前瞻性陳述準確性的風險包括：新產品未能按預期的時間和產量推出，高於預期的生產成本；市場對我們產品的需求可能比我們的預期增長速度慢，或產品在我們目標市場上的採用率可能較低；我們的產品性能與預期不符，安全技術不能保證100 ％安全，以及其他不同時間標誌在「風險因素」以及在我們於證券及交易委員會(SEC) 的其他報告，包括但不限於我們於Form 10-K及季度報告在Form 10-Q刊出的年度報告。我們無意更新此新聞稿中所包含的資料。

- 新聞稿有效日期，至2011/05/26為止

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