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元件性能要求在3xnm技術節點以後提升，此要件在光阻去除及清潔正發生變化顯著。較淺的接點，在更陡峭的柵電極側影正推動能量低，高劑量植入步驟，劑量通常在1E15cm - 2 1E16cm - 2範圍內。雖然這些高植入劑對於改進元件性能是必要的，其同時產生的挑戰在光阻去除在光阻頂部表層形成較厚的交聯聚合物的「殼」，如圖一所示。在高溫下快速消除這個殼會導致光阻「膨化」，此條件下光阻內的溶劑揮發通過殼而產生殘渣在晶圓表面，並且對元件良率有負面的影響（參照圖二）。在殼刪除後，大塊光阻被移除，晶圓表面任何殘餘的殘渣亦被清除。在此任務，使用氟為主的化學品，如CF4是最有效的氣體，但使用含氟技術可能是一項挑戰在一些以電漿為基礎的系統需要特定的硬體修改。此外，高劑量佈植清洗製程所需的多種溫度和化學品在單晶圓進程架構下的光阻清除系統構成顯著的吞吐量挑戰。 在3x/2xnm節點面臨高劑量離子植入清洗在整合的挑戰，諾發系統開發出以使用CF4為基礎化學品的無殘留製程。此製程運行在GxT ®光阻清除平台，其利用諾發的多站連續處理架構（MSSP），在每個站獨立控制溫度和化學過程。在第一步，一個最佳化的製程溫度，可在無光阻膨化下移除聚合物的殼。隨後站，設置不同的溫度，迅速取消其餘的光阻和消除任何在晶圓表面的殘留物。這些步驟之間沒有溫度或氣體穩定時間的需要，其只需要在一個單一晶圓機台。MSSP有最佳化整合的溫度和化學品對殼的移除，大塊光阻，殘留物的清潔且不犧牲整體吞吐量。圖三顯示了如何使用諾發的多重溫度，相比於CF4與非CF4為基礎的解決方案在市場上消除殘留的辦法。該GxT系統已改造成為耐CF4侵蝕，且在大批量製造條件下仍具有世界一流的低缺陷水準。 諾發系統Surface Integrity Group技術總監David Cheung說：「在3x/2x技術節點，高劑量植入創造了巨大的挑戰在光阻的去除。諾發最佳化的CF4製程和MSSP的架構提供無殘留成果，同時提供了領先業界先進HDIS應用的吞吐量。」 欲了解更多有關3x/2xnm無殘留製程，請至諾發系統網站
- 新聞稿有效日期，至2009/06/26為止
聯絡人 ：Eva Huang
聯絡電話：27097628
電子郵件：ehuang@bmags.com
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