全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點 (POL) 轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。

新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻 (RDS(on)) 非常低，也同時具備極低的閘電荷 (Qg) 和閘漏極電荷 (Qgd) ，以提升效率和溫度效能，並可在每相位逾25A的情況下運作。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF6710S2控制MOSFET擁有極低的閘電阻及電荷，而且，當與IRF6795M和IRF6797M這些包含整合式蕭特基 (Schottky) 整流器的同步MOSFET作協同設計時，能夠為高頻、高效率DC-DC轉換器提供解決方案，讓整個負載範圍也可以發揮卓越性能。」

IRF6710S僅為0.3 Ohms的極低閘電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ，則可大幅減低開關損耗，使這些元件非常適合作為控制MOSFET之用。

IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，故當整合式蕭特基整流器降低二極管傳導損耗和反向修復損耗，這些新元件就能顯著減少傳導損耗，所以十分適合高電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔位面積，因此能輕易由原有SyncFET元件邁向使用新元件。

產品基本規格如下： 元件編號 BVDSS
(V) 在10V下
典型RDS(on) (mOhms) 在4.5V下典型RDS(on) (mOhms) VGS
(V) 典型QG (nC) 典型QGD
(nC) 外型代碼
IRF6710S2 25 4.5 9.0 +/-20 8.8 3.0 S1
IRF6795M 25 1.1 1.8 +/-20 45 15 MX
IRF6797M 25 1.4 2.4 +/-20 35 10 MX

產品詳細資料可瀏覽http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html。

新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

- 新聞稿有效日期，至2008/08/15為止

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