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產業動態 康廣科技嵌入式記憶體電路設計課程即日起 熱烈招生中
康廣科技有限公司 本新聞稿發佈於2008/05/18,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

由經濟部工業局半導體學院主辦,資策會承辦,康廣科技有限公司執行規劃的「97年度半導體學院計畫-嵌入式記憶體電路設計」1班,培訓時數9小時,預計培訓30名的台灣半導體產業專業人才,即日起受理報名,將於97年6月24日至96年7月8日,每週二晚間18:30~21:30開課,為台灣半導體產業厚植人力資源。

 
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由經濟部工業局半導體學院主辦,資策會承辦,康廣科技有限公司執行規劃的「97年度半導體學院計畫-嵌入式記憶體電路設計」1班,培訓時數9小時,預計培訓30名的台灣半導體產業專業人才,即日起受理報名,將於97年6月24日至96年7月8日,每週二晚間18:30~21:30開課,為台灣半導體產業厚植人力資源。
本培訓課程由清華大學電機系副系主任黃錫瑜副教授主講,結合中國科技大學完善的教學設備,幫助培訓學員步入半導體IC設計的領域,充實記憶體設計相關知識,瞭解最新的技術發展趨勢。
本課程的目的主要是從低功率技術設計的角度探討在設計半導體記憶體電路時的基本知識。課程內容包括唯讀記憶體(ROM), 快閃記憶體(Flash),靜態隨機存取記憶體(SRAM),以及動態隨機存取記憶體(DRAM)。
課程開始會先說明記憶體的操作原理及其架構,之後會討論各種不同記憶體的晶胞結構以及它們的讀/寫和感測機制,以及自我測試方法之介紹。
在整個課程內隨時都會在適當的地方說明低功率技術的設計。課程最後也會根據奈米製程所衍生的一些問題(如漏電流補償,良率提昇等),提出一些有效的解決方法。
九小時課程內容容規劃上將以理論與實務並重包括
 簡介
 唯讀記憶體設計 (ROM & Flash)
- 光罩式唯讀記憶體 (位址解碼器,唯讀細胞陣列)
- 可程式唯讀記憶體及快閃記憶體
 靜態隨機存取記憶體設計 (SRAM)
- 細胞
- 細胞陣列結構
- 週邊讀寫電路
- SRAM 編譯器之使用方法
- 低功率設計考量
- 奈米製程衍生之設計考量
 動態隨機存取記憶體設計 (DRAM)
- 細胞
- 細胞陣列結構
- 讀寫電路
 操作時序圖
歡迎半導體產業、系統廠商之產品佈局開發與半導體相關者、與從事與半導體產業相關事務者(如產業分析、專利與智財分析、專案管理…等)半導體晶圓代工廠、DRAM 廠、和IC 設計公司內需使用或設計內嵌式記憶體相關之在職人才,或對此議題有興趣之人員參加進修。總學費每人新台幣5,500元,工業局補助45%;學員自付3000元名額有限,敬請把握。
洽詢電話:(03)2630830 或0960091870鄧經理
或至康廣數位學苑(http://www.k-guang.com/eschool)了解活動詳情

- 新聞稿有效日期,至2008/06/18為止


聯絡人 :鄧干城
聯絡電話:0960091870
電子郵件:cooltode@k-guang.com

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